￥ 0

2SA1962-O 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SA1962-O 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2SA1962-O 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

-230 V

额定电流

-15.0 A

封装

TO-3-3

极性

PNP

功耗

130000 mW

增益频宽积

30 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

230 V

集电极最大允许电流

15A

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

130 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

2SA1962-O 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

长度

15.9 mm

宽度

4.8 mm

高度

19 mm

查看数据手册 >

2SA1962-O 符合标准

2SA1962-O 数据手册

Toshiba（东芝）

4 页 / 0.12 MByte

2SA1962-O 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

4 页 / 0.3 MByte

2SA1962 数据手册

Toshiba（东芝）

2SA1962 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2SA1962-O(Q) 数据手册

Toshiba（东芝）

2SA1962OTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅晶体管 TO-3P

2SA1962OTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅晶体管 TO-3P

2SA1962RTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2SA1962RTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

2SA1962-O 数据手册

Toshiba（东芝）

2SA1962-O(Q,T) 数据手册

Toshiba（东芝）

2SA1962_07 数据手册

Toshiba（东芝）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号