￥ 2.918

2SA1962-O(Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SA1962-O(Q) 数据手册 (4 页)

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2SA1962-O(Q) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

30 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-230 V

额定电流

-15.0 A

封装

TO-3-3

极性

PNP

功耗

130 W

击穿电压(集电极-发射极)

230 V

集电极最大允许电流

15A

最小电流放大倍数

80 @1A, 5V

最大电流放大倍数

160

额定功率(Max)

130 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

130 W

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2SA1962-O(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

4.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2SA1962-O(Q) 符合标准

2SA1962-O(Q) 概述

2SA1962-O(Q) 数据手册

Toshiba（东芝）

4 页 / 0.12 MByte

2SA1962-O(Q) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

5 页 / 0.12 MByte

2SA1962-O(Q) 其他参考文件

Toshiba（东芝）

1 页 / 0.17 MByte

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