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2SB1188T100Q
0.077
2SB1188T100Q 数据手册 (4 页)
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2SB1188T100Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-32.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
SOT-89
额定功率
2 W
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
120 @500mA, 3V
最大电流放大倍数
390
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
82
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

2SB1188T100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.50 mm
宽度
2.5 mm
高度
1.50 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SB1188T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.17 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SB1188T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP -32V -2A功率晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SB1188T100Q  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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