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2SB1188T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

MPT-3

描述:

PNP -32V -2A功率晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SB1188T100R 数据手册 (4 页)

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2SB1188T100R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-32.0 V

额定电流

-2.00 A

封装

MPT-3

额定功率

2 W

极性

PNP

功耗

500 mW

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

180 @500mA, 3V

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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2SB1188T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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2SB1188T100R 符合标准

2SB1188T100R 海关信息

2SB1188T100R 概述

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4 页 / 0.17 MByte

2SB1188T100R 其他数据使用手册

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4 页 / 0.08 MByte

2SB1188T100R 其他参考文件

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1 页 / 0.12 MByte

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ROHM 2SB1188T100Q 单晶体管双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE

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