●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~400
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.18V
●耗散功率PcPower Dissipation | 1.0~2.5W
●Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. LCD Backlighting Applications.
●High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A).
● Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max).
● High-speed switching: tf = 40 ns (typ.).
●描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 LCD背光应用。
●高直流电流增益：HFE=250〜400（IC= 0.3 A）。
●低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）= 0.18 V（最大值）。
●高速开关：TF=40 ns（典型值）。
