TPCT4202 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V

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●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V

●最大漏极电流IdDrain Current| 6A

●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 38mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 3000mA

●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.2V

●耗散功率PdPower Dissipation| 510mW/0.51W

●Description & Applications| Lithium lon Battery applications Lead(Pb)-Free small footprint due to small and thin package low drain source ON resistance :Rss(ON)=30.5mΩ(typ.) Low leakage current :Isss=10uA(max)(Vds=30V) Enhancement mode:Vth=0.5~12V(Vss=10V,Is=200uA) Common drain

●描述与应用| 锂离子电池应用 铅（以Pb计）免费 由于占地面积小，小而薄的包装 低漏源导通电阻：RSS（ON）=30.5mΩ（典型值） 低漏电流：ISSS=10uA的（最大）（VDS =30V） 增强模式：VTH =0.5〜12V（VSS= 10V，=200uA电流） 常见的漏