Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > 2SCR513RTL 数据手册 > 2SCR513RTL 数据手册 2/8 页
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2SCR513RTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
双极性晶体管
封装:
TSMT-3
描述:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 500 mW, 1 A, 180 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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2SCR513RTL数据手册
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Data Sheet
2SCR513R
lElectrical characteristics(Ta = 25°C)
*1 Pulsed
*2 See switching time test circuit
lSwitching time test circuit
Unit
Collector-emitter
breakdown voltage
BV
CEO
I
C
= 1mA
50
-
-
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
V
Emitter-base
breakdown voltage
BV
EBO
I
E
= 100mA
6
-
-
V
Collector-base
breakdown voltage
BV
CBO
I
C
= 100mA
50
-
-
mA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 4V
-
-
1
mA
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 50V
-
-
1
-
V
DC current gain
h
FE
V
CE
= 2V, I
C
= 50mA
180
-
450
-
Collector-emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= 500mA, I
B
= 25mA
-
0.13
0.35
t
f
*2
-
75
MHz
Output capacitance
C
ob
V
CB
= 10V, I
E
= 0A,
f = 1MHz
-
7
-
pF
Transition frequency
f
T
*1
V
CE
= 10V, I
E
= -200mA
f=100MH
Z
-
360
-
ns
ns
Storage time
t
stg
*2
-
410
-
ns
Turn-on time
t
on
*2
I
C
=0.5A
I
B1
=50mA
I
B2
= -50mA
V
CC
⋍10V
-
40
-
Fall time
2/6
2013.02 - Rev.A
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