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2SD2012 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS 2SD2012 单晶体管双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 20 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SD2012 数据手册 (5 页)

原理图在1 页

2SD2012 数据手册 (5 页)

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2SD2012 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

25 W

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

25 W

增益频宽积

3 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数

320

额定功率(Max)

25 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

25000 mW

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2SD2012 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.9 mm

高度

9.39 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SD2012 符合标准

2SD2012 概述

2SD2012 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.12 MByte

2SD2012 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.12 MByte

2SD2012 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.01 MByte

2SD2012 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

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