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IRF840A
0.27
IRF840A 数据手册 (8 页)
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IRF840A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220
漏源极电阻
850 mΩ (max)
功耗
125 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500V (min)
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
23.0 ns

IRF840A 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.13 MByte

IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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