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2SD2114KT146V
器件3D模型
0.025
2SD2114KT146V 数据手册 (5 页)
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2SD2114KT146V 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
350 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
500 mA
封装
SC-59-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel, NPN
功耗
200 mW
增益频宽积
350 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
820 @10mA, 3V
最大电流放大倍数
2700
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
820
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

2SD2114KT146V 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SD2114KT146V 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.31 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SD2114KT146 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高电流增益中等功率晶体管( 20V , 0.5A ) High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 小信号晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
*高直流电流增益。HFE=1200*高发射基地电压。VEBO=12V(最小值)*低VCE(SAT)。VCE(饱和)=0.18V(IC/ IB=500mA/20毫安的)结构外延平面型NPN硅transisto的
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
*高直流电流增益。HFE=1200*高发射基地电压。VEBO=12V(最小值)*低VCE(SAT)。VCE(饱和)=0.18V(IC/ IB=500mA/20毫安的)结构外延平面型NPN硅transisto的
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