2SJ238 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.68Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| field effect transistor silicon p channel mos type high speed, high current dc-dc converter, relay drive and motor drive applications 4-volt gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode 描述与应用| 场效应晶体管的 硅p沟道MOS类型 高速，高电流DC-DC转换， 继电器驱动器和电机驱动应用 4伏栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式