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2SK3018T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323

描述:

ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SK3018T106 数据手册 (4 页)

封装尺寸在1 页

2SK3018T106 数据手册 (4 页)

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2SK3018T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-323

针脚数

3 Position

漏源极电阻

8 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

100 mA

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

13pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

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2SK3018T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2SK3018T106 符合标准

2SK3018T106 海关信息

2SK3018T106 概述

2SK3018T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.07 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.15 MByte

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