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BCP53T1G
0.07
BCP53T1G 数据手册 (7 页)
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BCP53T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-15.0 A
封装
SOT-223
极性
PNP, P-Channel
功耗
1500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
-80.0 V
集电极最大允许电流
1.5A

BCP53T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

BCP53T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

BCP53T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCP53T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
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