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ADR421ARM
4.8
ADR421ARM 数据手册 (21 页)
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ADR421ARM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
MSOP
输入电压(DC)
18.0V (max)
输出电压
2.50 V
输出电流
≤10.0 mA
通道数
1 Channel

ADR421ARM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube, Rail
温度系数
±10.0 ppm/℃

ADR421ARM 数据手册

ADI(亚德诺)
21 页 / 0.41 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.44 MByte

ADR421 数据手册

ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR421ARZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR421ARMZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, MSOP-8
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
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