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ADR421BRZ
器件3D模型
0.576
ADR421BRZ 数据手册 (24 页)
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ADR421BRZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
10.0 mA
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
4.50V ~ 18.0V
输出电压
2.5 V
输出电流
10 mA
供电电流
600 μA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
2.5 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
4.5V ~ 18V

ADR421BRZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±3 ppm/℃

ADR421BRZ 数据手册

ADI(亚德诺)
24 页 / 0.41 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.44 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.61 MByte
ADI(亚德诺)
13 页 / 0.21 MByte

ADR421 数据手册

ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR421ARZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR421ARMZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, MSOP-8
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
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