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AOT1N60 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

制造商:

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 600V 1.3A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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AOT1N60 数据手册 (5 页)

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AOT1N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

41.7 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

1.3A

上升时间

6.7 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

41.7 W

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

41.7W (Tc)

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AOT1N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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AOT1N60 符合标准

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