￥ 10.91

APT50GS60BRDQ2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT50GS60BRDQ2G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在9 页

典型应用电路图在1 页

APT50GS60BRDQ2G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

APT50GS60BRDQ2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

415000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

25 ns

额定功率(Max)

415 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

415000 mW

查看数据手册 >

APT50GS60BRDQ2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

APT50GS60BRDQ2G 符合标准

APT50GS60BRDQ2G 海关信息

APT50GS60BRDQ2G 数据手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.32 MByte

APT50GS60BRDQ2G 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT50GS60BRDQ2G 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.13 MByte

APT50GS60BRDQ2G 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

APT50GS60BRDQ2 数据手册

APT50GS60BRDQ2G 数据手册

Microsemi（美高森美）

迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

APT50GS60BRDQ2G 数据手册

Microchip（微芯）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号