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STP22NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP22NM60N 数据手册 (23 页)

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STP22NM60N 数据手册 (23 页)

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STP22NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

16A

输入电容值(Ciss)

1300pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STP22NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP22NM60N 符合标准

STP22NM60N 海关信息

STP22NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 0.96 MByte

STP22NM60N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.33 MByte

STP22NM60N 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STP22NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP22NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.19欧姆 - 22A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 MOSFET MDmesh⑩Power N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

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