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器件3D模型
¥ 1.53
STD12N65M5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STD12N65M5 数据手册 (23 页)
封装尺寸
在
10 页
11 页
12 页
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14 页
15 页
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STD12N65M5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.39 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
650 V
上升时间
17.6 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
23.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)
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STD12N65M5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STD12N65M5 符合标准
STD12N65M5 概述
●
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
●
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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STD12N65M5 数据手册
STD12N65M5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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STD12N65M5
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ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.24 MByte
STD12N65M5
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
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STD12N65 数据手册
STD12N65
M5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
STD12N65
M2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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