￥ 30.67

APTGT50SK170T1G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SP-1

描述:

降压斩波沟道+场站IGBT®电源模块 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APTGT50SK170T1G 数据手册 (4 页)

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APTGT50SK170T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

12 Pin

封装

SP-1

功耗

312 W

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

输入电容值(Cies)

4.4nF @25V

额定功率(Max)

312 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

312000 mW

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APTGT50SK170T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

51.6 mm

宽度

40.8 mm

高度

11.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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APTGT50SK170T1G 符合标准

APTGT50SK170T1G 海关信息

APTGT50SK170T1G 数据手册

Microsemi（美高森美）

4 页 / 0.39 MByte

APTGT50SK170T1G 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.43 MByte

APTGT50SK170T1G 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

APTGT50SK170T1 数据手册

APTGT50SK170T1G 数据手册

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降压斩波沟道+场站IGBT®电源模块 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module

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