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BSZ0506NSATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8-FL

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ0506NSATMA1 数据手册 (12 页)

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BSZ0506NSATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8-FL

额定功率

27 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0035 Ω

极性

N-CH

功耗

27 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

700 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

40A

上升时间

2.4 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @15V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 27W (Tc)

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BSZ0506NSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSZ0506NSATMA1 符合标准

BSZ0506NSATMA1 概述

BSZ0506NSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.58 MByte

BSZ0506NSATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ0506NSATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSZ0506NSATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ0506 数据手册

BSZ0506NSATMA1 数据手册

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