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NGTB10N60R2DT4G
0.606
NGTB10N60R2DT4G 数据手册 (7 页)
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NGTB10N60R2DT4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
功耗
72 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
90 ns
额定功率(Max)
72 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
72 W

NGTB10N60R2DT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
175℃ (TJ)

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 3.63 MByte

NGTB10N60R2DT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NGTB10N60R2DT4G  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
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