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NGTB10N60R2DT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NGTB10N60R2DT4G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

NGTB10N60R2DT4G 数据手册 (7 页)

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NGTB10N60R2DT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

功耗

72 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

90 ns

额定功率(Max)

72 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

72 W

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NGTB10N60R2DT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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NGTB10N60R2DT4G 符合标准

NGTB10N60R2DT4G 海关信息

NGTB10N60R2DT4G 概述

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.6 MByte

NGTB10N60R2DT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 3.63 MByte

NGTB10N60R2DT4 数据手册

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

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ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

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