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APTM100A13SCG
263.78
APTM100A13SCG 数据手册 (7 页)
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APTM100A13SCG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
7 Pin
封装
SP-6
极性
N-CH
功耗
1250000 mW
漏源极电压(Vds)
1000 V
连续漏极电流(Ids)
65A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
15200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1250 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250000 mW

APTM100A13SCG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

APTM100A13SCG 数据手册

Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.27 MByte
Microsemi(美高森美)
8 页 / 0.62 MByte
Microsemi(美高森美)
11 页 / 0.42 MByte

APTM100A13 数据手册

Microsemi(美高森美)
相脚系列和碳化硅二极管并联MOSFET功率模块 Phase leg Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module
Microsemi(美高森美)
相脚系列和并联二极管的MOSFET功率模块 Phase leg Series & parallel diodes MOSFET Power Module
Microsemi(美高森美)
相桥臂带串联二极管的MOSFET功率模块 Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module
Microchip(微芯)
分立半导体模块 CC6025
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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