￥ 1.104

STL8N10LF3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerSMD-8

描述:

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL8N10LF3 数据手册 (17 页)

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STL8N10LF3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerSMD-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.025 Ω

极性

N-CH

功耗

70 W

阈值电压

1V ~ 3V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

9.6 ns

输入电容值(Ciss)

970pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

5.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

4.3W (Ta), 70W (Tc)

STL8N10LF3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.15 mm

宽度

5.2 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STL8N10LF3 符合标准

STL8N10LF3 概述