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AUIRF1010EZ
0.392
AUIRF1010EZ 数据手册 (15 页)
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AUIRF1010EZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
140 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0068 Ω
极性
N-CH
功耗
140 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
84A
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
2810pF @25V(Vds)
下降时间
54 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140 W

AUIRF1010EZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

AUIRF1010EZ 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.03 MByte

AUIRF1010 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1010ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1010Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1010ZL  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
汽车Q101 60V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1010ZSTRL TO-263-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1010EZSTRL TO-263-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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