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AUIRF1324STRL
0.644
AUIRF1324STRL 数据手册 (11 页)
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AUIRF1324STRL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
300 W
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
24 V
连续漏极电流(Ids)
340A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
7590pF @24V(Vds)
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

AUIRF1324STRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF1324STRL 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.45 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte

AUIRF1324 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1324  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 24 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N沟道 24V 240A
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1324S-7P  晶体管, MOSFET, N沟道, 429 A, 24 V, 800 µohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1324STRL D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
汽车 N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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