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AUIRF1324WL
2.114
AUIRF1324WL 数据手册 (11 页)
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AUIRF1324WL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
漏源极电阻
1.3 mΩ
极性
N-Channel
功耗
300 W
零部件系列
AUIRF1324WL
漏源极电压(Vds)
24 V
输入电容值(Ciss)
7630pF @19V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

AUIRF1324WL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
11.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

AUIRF1324WL 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.23 MByte

AUIRF1324 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1324  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 24 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N沟道 24V 240A
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF1324S-7P  晶体管, MOSFET, N沟道, 429 A, 24 V, 800 µohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1324STRL D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
汽车 N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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