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AUIRS2113S
器件3D模型
1.652
AUIRS2113S 数据手册 (18 页)
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AUIRS2113S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
封装
SOIC-16
上升/下降时间
25ns, 15ns
输出接口数
2 Output
功耗
1250 mW
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW
电源电压
3V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
3 V

AUIRS2113S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

AUIRS2113S 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 1.33 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.07 MByte

AUIRS2113 数据手册

Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
AUIRS2113S 双 MOSFET 功率驱动器, 2.5A, 非反相, 16针 SOIC W封装
International Rectifier(国际整流器)
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