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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > AUIRS21811STR Datasheet 文档
AUIRS21811STR
器件3D模型
1.674
AUIRS21811STR 数据手册 (20 页)
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AUIRS21811STR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
60ns, 35ns (Max)
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
60 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

AUIRS21811STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

AUIRS21811STR 数据手册

Infineon(英飞凌)
20 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

AUIRS21811 数据手册

Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRS21811S  芯片, 驱动器, 高/低压侧, 8SOIC
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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