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IRFI530NPBF
0.641
IRFI530NPBF 数据手册 (9 页)
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IRFI530NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
33 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-Channel
功耗
33 W
阈值电压
4 V
输入电容
640 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
41W (Tc)

IRFI530NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.75 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFI530NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRFI530 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFI530NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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