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BAT54LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
肖特基二极管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR BAT54LT1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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BAT54LT1G数据手册
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BAT54L
www.onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol Min Typ Max Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10 μA)
V
(BR)R
30 − −
Volts
Total Capacitance
(V
R
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
C
T
− 7.6 10
pF
Reverse Leakage
(V
R
= 25 V)
I
R
− 0.5 2.0
μAdc
Forward Voltage
(I
F
= 0.1 mA)
(I
F
= 1.0 mA)
(I
F
= 10 mA)
(I
F
= 30 mA)
(I
F
= 100 mA)
V
F
−
−
−
−
−
0.22
0.29
0.35
0.41
0.52
0.24
0.32
0.40
0.50
0.80
V
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc, Figure 1)
t
rr
− − 5.0
ns
Notes: 1. A 2.0 kΩ variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. t
p
» t
rr
+10 V
2 k
820
Ω
0.1 μF
DUT
V
R
100 μH
0.1 μF
50 Ω OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 Ω INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
T
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
T
i
R(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; measure
d
at i
R(REC)
= 1 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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