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BC32725BU
0.048
BC32725BU 数据手册 (7 页)
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BC32725BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

BC32725BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

BC32725BU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.17 MByte

BC32725 数据手册

Diotec Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC327-25  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 260 MHz, 625 mW, -800 mA, 160 hFE
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
ITT Corporation(ITT电子)
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 45 Vceo 500mA 625mW Trans
ON Semiconductor(安森美)
ST Microelectronics(意法半导体)
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