Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Diotec Semiconductor > BC547C 数据手册 > BC547C 数据手册 1/2 页
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BC547C 数据手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-92
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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BC547C数据手册
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BC546 ... BC549
BC546 ... BC549
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
NPN
Version 2006-05-31
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC546 BC547 BC548/549
Collector-Emitter-voltage E-B short V
CES
85 V 50 V 30 V
Collector-Emitter-voltage B open V
CEO
65 V 45 V 30 V
Collector-Base-voltage E open V
CBO
80 V 50 V 30 V
Emitter-Base-voltage C open V
EB0
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
500 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc) I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I
CM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom I
BM
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom - I
EM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Group A Group B Group C
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 µA h
FE
typ. 90 typ. 150 typ. 270
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA h
FE
110 ... 220 200 ... 450 420 ... 800
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA h
FE
typ. 120 typ. 200 typ. 400
h-Parameters at/bei V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
h
fe
typ. 220 typ. 330 typ. 600
Input impedance – Eingangs-Impedanz h
ie
1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ 6 ... 15 kΩ
Output admittance – Ausgangs-Leitwert h
oe
18 < 30 µS 30 < 60 µS 60 < 110 µS
Reverser voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
h
re
typ. 1.5*10
-4
typ. 2*10
-4
typ. 3*10
-4
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/
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