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BC846BLT1
0.013
BC846BLT1 数据手册 (6 页)
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BC846BLT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
65.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW

BC846BLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC846BLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte

BC846 数据手册

CJ(长电科技)
BC846 200~450
NXP(恩智浦)
BC846 NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 110~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1DW 通用开关和放大
Multicomp
MULTICOMP  BC846  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
UTC(友顺)
NPN硅晶体管
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
AUK Semiconductor(韩国光电子)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( NPN ) Small Signal Transistors (NPN)
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