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IPA50R250CP
1.587
IPA50R250CP 数据手册 (10 页)
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IPA50R250CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.22 Ω
极性
N-Channel
功耗
33 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
13.0 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
1420pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
33 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
33W (Tc)

IPA50R250CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA50R250CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA50R250 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA50R250CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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