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STF12NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF12NK60Z 数据手册 (15 页)

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STF12NK60Z 数据手册 (15 页)

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STF12NK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

640 mΩ

极性

N-Channel

功耗

35W (Tc)

输入电容

1.74 nF

栅电荷

59.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

650 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

18.5 ns

输入电容值(Ciss)

1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

下降时间

31.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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STF12NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STF12NK60Z 符合标准