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BC848BLT3G
0.007
BC848BLT3G 数据手册 (13 页)
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BC848BLT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
450
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
290
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC848BLT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC848BLT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BC848BLT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistors
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