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NVD6824NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

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NVD6824NLT4G 数据手册 (6 页)

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NVD6824NLT4G 数据手册 (6 页)

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NVD6824NLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0165 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.9 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

3468pF @25V(Vds)

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90 W

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NVD6824NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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NVD6824NLT4G 符合标准

NVD6824NLT4G 概述

NVD6824NLT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NVD6824NLT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.82 MByte

NVD6824NLT4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.12 MByte

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