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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC857BWT1 Datasheet 文档
BC857BWT1
器件3D模型
0.02
BC857BWT1 数据手册 (6 页)
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BC857BWT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-70-3
极性
PNP
功耗
150 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BC857BWT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC857BWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BC857 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
CJ(长电科技)
三极管
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
Multicomp
MULTICOMP  BC857  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
ON Semiconductor(安森美)
UTC(友顺)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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