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BC859C,215 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

NXP BC859C,215 单晶体管双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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BC859C,215 数据手册 (8 页)

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BC859C,215 数据手册 (8 页)

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BC859C,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

250 mW

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数

420 @2mA, 5V

额定功率(Max)

250 mW

直流电流增益(hFE)

420

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

查看数据手册 >

BC859C,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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BC859C,215 符合标准

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NXP（恩智浦）

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