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BCR108E6327HTSA1
0.037
BCR108E6327HTSA1 数据手册 (11 页)
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BCR108E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
70 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
170 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

BCR108E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm

BCR108E6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.84 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BCR108E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。 数字晶体管,Infineon 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR108E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
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