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BCR108 数据手册

型号系列:

BCR108 系列

分类:

双极性晶体管

描述:

BCR108 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-23/SC-59 marking/标记 WH 开关电路逆变器接口电路驱动电路

文档:

BCR108 数据手册 (13 页)

更新于: 2023/01/13 02:42:59 (UTC + 8)

BCR108 双极性晶体管数据手册

BCR108

数据手册 (13 页)

1.7

Infineon（英飞凌）

BCR108T

数据手册 (13 页)

1.3

Infineon（英飞凌）

BCR108WH6433XTMA1

数据手册 (13 页)

0.6

Infineon（英飞凌）

BCR 108S H6327

数据手册 (13 页)

0.5

Infineon（英飞凌）

BCR108 数据手册双极性晶体管

BCR 108 E6433

数据手册

13 页

Infineon（英飞凌）

NPN - 预偏压 100mA 50V

BCR108E6327

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

Infineon Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。数字晶体管，Infineon 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

BCR108SH6327XTSA1

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

BCR108S

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

bcr108s NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WHs 开关电路逆变器接口电路驱动电路

BCR108WH6327

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

BCR108E6327HTSA1

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

Infineon BCR108E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-23封装

BCR108WH6327XTSA1

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

BCR108E6433HTMA1

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR

BCR108

数据手册

12 页

Siemens Semiconductor（西门子）

BCR 108 E6327

数据手册

12 页

Infineon（英飞凌）

双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA

BCR108SH6327

数据手册

11 页

Infineon（英飞凌）

双电阻器双数字晶体管，Infineon### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

BCR108W

数据手册

11 页

Infineon（英飞凌）

BCR108W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 WH 开关电路逆变器接口电路驱动电路

BCR108SE6327

数据手册

11 页

Infineon（英飞凌）

BCR108S E6327

数据手册

11 页

Infineon（英飞凌）

BCR108T E6327

数据手册

11 页

Infineon（英飞凌）

BCR108F

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10 页

Infineon（英飞凌）

NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

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BCR108 - Infineon（英飞凌）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-23

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

BCR108 - Infineon（英飞凌）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.047 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 170MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) 描述与应用| 特性 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=2.2KΩ，R2=47KΩ）

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