BOM智能匹配样例
登录
免费注册
Datasheet 搜索
> Infineon(英飞凌) > BCR108S Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 0.037
BCR108S 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-363
描述:
bcr108s NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WHs 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
BCR108S 数据手册 (12 页)
引脚图
在
1 页
Hot
封装尺寸
在
8 页
9 页
10 页
11 页
BCR108S 数据手册
暂未收录 BCR108S 的数据手册
登录以发送补充文档请求
登 录
申请补充文档
BCR108S 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图
BCR108S 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-363
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
查看数据手册 >
BCR108S 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
End of Life
查看数据手册 >
BCR108S 符合标准
BCR108S 海关信息
BCR108S 概述
●
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.047 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.047 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 170MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN Silicon Digital Transistor •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) •For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •NPN硅数字晶体管 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 •内置偏置电阻(R1=2.2K,R2=47K) •6-PIN封装:两个(电流)的内部隔离晶体管具有良好的匹配在一个封装中
查看数据手册 >
更多
BCR108S 数据手册
BCR108S
数据手册
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.2 MByte
BCR108S
产品手册
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.48 MByte
BCR108 数据手册
BCR108
数据手册
Infineon(英飞凌)
BCR108 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-23/SC-59 marking/标记 WH 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
BCR108
数据手册
Siemens Semiconductor(西门子)
BCR108
E6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。 数字晶体管,Infineon 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR108
SH6327XTSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
BCR108
E6327HTSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR108E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-23封装
BCR108
S
数据手册
Infineon(英飞凌)
bcr108s NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WHs 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
BCR108
WH6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR108
SH6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
双电阻器双数字晶体管,Infineon### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR108
W
数据手册
Infineon(英飞凌)
BCR108W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 WH 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
BCR108
WH6327XTSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
CD4051BM96G3
RK73B1JTTD103J
SMAJ30A
SN74HC245N
UCC27517ADBVR
BAV23S
CD4021BE
NC7WZ04P6X
ADS1015IDGST
SN74AVC1T45DCKR
更多热门型号文档
BCR108E6327
BCR108E6327HTSA1
BCR 108 E6433
BCR108E6433HTMA1
BCR108F
BCR108SE6327
BCR108S E6327
BCR108SH6327
BCR108SH6327XTSA1
BCR108T E6327
关联文档:
BCR108 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z