BCW32 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~454 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| FEATURES • Low current (100 mA) • Low voltage (32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| 特点 •低电流（100毫安） •低电压（32 V）。 应用 •通用开关和放大。