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BCX42E6433HTMA1
0.115
BCX42E6433HTMA1 数据手册 (7 页)
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BCX42E6433HTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-125 V
额定电流
-800 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
125 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
40 @200mA, 1V
额定功率(Max)
330 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

BCX42E6433HTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BCX42E6433HTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.2 MByte

BCX42E6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCX42E6433HTMA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=125 V, HFE:25, 150 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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