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BD13916STU
0.383
BD13916STU 数据手册 (7 页)
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BD13916STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
功耗
1.25 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
100 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.25 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

BD13916STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BD13916STU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

BD13916 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BD139-16  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Samsung(三星)
Continental Device
Samsung(三星)
Central Semiconductor
NXP(恩智浦)
NPN功率晶体管 NPN power transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
NXP(恩智浦)
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