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BD242B 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BD242B 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BD242B 数据手册 (4 页)

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BD242B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

40 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

最小电流放大倍数

25 @1A, 4V

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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BD242B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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BD242B 符合标准

BD242B 海关信息

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