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BFP196WNH6327XTSA1
0.088
BFP196WNH6327XTSA1 数据手册 (19 页)
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BFP196WNH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-4
针脚数
4 Position
功耗
700 mW
输入电容
0.35 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
9.7 dB
最小电流放大倍数
70 @50mA, 8V
额定功率(Max)
700 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
700 mW

BFP196WNH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

BFP196WNH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.52 MByte

BFP196WNH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70 hFE
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