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Datasheet 搜索 > 光耦合器/光隔离器 > Vishay Semiconductor(威世) > TCDT1102 Datasheet 文档
TCDT1102
器件3D模型
0.196

TCDT1102 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
DIP-6
上升/下降时间
7µs, 6.7µs
输出电压
32.0 V
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.25 V
输入电流
50.0 mA
功耗
250 mW
上升时间
7 µs
隔离电压
5 kV
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
32 V
正向电压(Max)
1.6 V
正向电流(Max)
60 mA
下降时间
6.7 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

TCDT1102 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
8.8 mm
宽度
6.4 mm
高度
3.81 mm
工作温度
-55℃ ~ 110℃

TCDT1102 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.12 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.12 MByte
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