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BFP420H6740XTSA1
0.264
BFP420H6740XTSA1 数据手册 (9 页)
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BFP420H6740XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
针脚数
4 Position
功耗
210 mW
击穿电压(集电极-发射极)
5 V
增益
21 dB
最小电流放大倍数
60 @20mA, 4V
额定功率(Max)
160 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
210 mW

BFP420H6740XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFP420H6740XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.13 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFP420H6740 数据手册

Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
射频双极晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BFP420H6740XTSA1 , NPN 晶体管, 60 mA, Vce=4.5 V, HFE:60, 25 GHz, 4引脚 SOT-343封装
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